芯片封裝互聯
芯片與封裝的互聯方式常見的主要有兩種，Wire Bonding（引線鍵合）和Flip Chip（倒裝芯片），如下圖所示。引線鍵合工藝，需要分兩個步驟，一先把芯片粘結在載板上，實現物理連接，第二步才是引線鍵合，實現電性連接；而倒裝芯片則只需一個步驟即可同時實現物理連接和電性連接。
引線鍵合和倒裝封裝
引線鍵合
芯片與載板的引線鍵合，常用的鍵合方法有熱超聲焊、熱壓焊、超聲焊，材料有金線、銅線、鋁線等。引線鍵合根據鍵合點焊接形式不同，可以分為兩種。第一種是球焊（Ball Bonding，一般也稱為Ball-Wedge Bonding），常用焊材金線和銅線，其特點是第一焊點是焊球，通過熱超聲是焊絲與芯片的金屬pad融接，第二點為魚尾（stitch），通過熱超聲焊將焊絲壓接在載板上，詳見下圖，其具體工藝過程在本系列第6節(jié)已做詳細介紹，此處不在贅述。第二種是楔焊（Wedge-Wedge Bond），第一焊點和第二焊點都是通過超聲壓分別與芯片和載板焊接，常用焊材是鋁線和金線，詳細的焊接過程請參考下面視頻。
不同的焊接方式及對應的治具
對于Wedge-Wedge Bond來說，其焊線長度相對較短，電阻電感小，非常有利于高頻信號和大電流通過。金線常用在高速高頻信號芯片的鍵合上，如射頻微波芯片、光芯片等；銅線、鋁線常用在大功率、大電流的芯片焊接上，如IGBT，實物如下圖。
Wedge-Wedge Bond實物
金線焊接工藝成熟，但成本較高，在商用領域有被銅線取代的趨勢。銅線導電性好，價格便宜，缺點就是硬度太大，鍵合時需要更大的壓力，容易對芯片造成傷害，隨著銅線鍵合工藝的成熟，此缺點正在慢慢被克服。目前金線、銅線的直徑一般不超過50um，而鋁線直徑則從50um到500um不等。
除上述兩種常見的鍵合方式，還有一種帶式鍵合（Ribbon Bonding），其鍵合過程與Wedge Bonding相似，但材料不是線狀，二是帶狀的，主要有金帶和鋁帶。由于金屬帶比較寬，可以提供更小的電阻和電感。鋁帶主要應用在大功率上，金帶射頻微波器件上，詳見下圖。其工藝過程，請參考視頻。
Ribbon Bond
