Wafer Back Grinding(晶圓研磨)
為保持一定的可操持性，Foundry出來的圓厚度一般在700um左右。封測廠必須將其研磨減薄，才適用于切割、組裝，一般需要研磨到200um左右，一些疊die結(jié)構(gòu)的memory封裝則需研磨到50um以下。常用的Wafer研磨、切割流程如下圖。
常用的幾種BG流程
晶圓研磨主要可分為下面三個步驟：Taping(貼膜) → Back Grinding(背面研磨) → Detaping(去膜)
Taping(貼膜)
在晶圓的正面（Active Area）貼上一層保護膜，保護芯片電路區(qū)域在研磨時不被刮傷，如下圖所示。
進料wafer、貼膜機及貼膜后的wafer
Back Grinding(背面研磨)
將貼膜后的晶圓放在真空吸盤上，真空吸盤其旋轉(zhuǎn)。研磨砂輪轉(zhuǎn)動的同時對晶圓施壓，將其研磨到最終需要的厚度，如下圖所示。
BG示意圖
Detaping(去膜)
晶圓研磨后，將保護膜經(jīng)紫外光照射后剝離，如下圖。
研磨后的Wafer
Dicing(晶圓切割)
晶圓切割流程：Wafer Mounting (晶圓貼片)→ Die Singulation(芯片切單)
Wafer Mounting(晶圓貼片)
貼膜的主要作用是防止芯片在切割時散落，另外也方便后續(xù)Die Attche工序拾取芯片。
Wafer貼片材料、設(shè)備及貼片效果圖
Dicing芯片切割)
芯片切割又叫劃片，目前主要有兩種方式：刀片切割和激光切割。
Wafer切割，及切割前后wafer細節(jié)對比
Wafer切割后，所有的芯片已完全分離開，將其放入晶圓框架盒中，流去下一工序。
晶圓及提籃
下一章節(jié)，我們會繼續(xù)SiP的工藝流程，講述SMT貼片，敬請關(guān)注。
